收藏本站
型号 SI4953ADY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SI4953ADY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4953ADY-T1-GE3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 53 毫欧 @ 4.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI4953ADY-T1-GE3CT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4953ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC
SI4963BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC
SI4963BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
SI4965DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
SI4965DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
SI4966DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
SI4966DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
SI4967DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
SI4967DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
SI4972DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 8-SOIC
SI4972DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC
SI4972DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC
SI4972DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4973DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4973DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4973DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4973DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
SI4974DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC